BUZ72和IRF520N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ72 IRF520N BUZ20

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTO-220AB N-CH 100V 9.7ASIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 9.7A -

耗散功率 - 48W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 330pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 48W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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