2N7000和TP0610L

对比图

型号 2N7000 TP0610L

描述 N沟道 60V 200ASmall Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-92, 3 PIN

数据手册 --

制造商 Diotec Semiconductor Vishay Siliconix

分类 MOS管

引脚数 3 -

封装 TO-92 TO-92-3

安装方式 - Through Hole

额定功率 0.35 W -

耗散功率 0.35 W -

阈值电压 0.8 V -

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW -

漏源极电阻 - -

极性 - -

漏源极电压(Vds) - -

封装 TO-92 TO-92-3

长度 - 4.6 mm

宽度 - 3.6 mm

高度 - 4.6 mm

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

ECCN代码 EAR99 -

HTS代码 - -