1N5521B和JANTXV1N5521B-1

对比图

型号 1N5521B JANTXV1N5521B-1 NTE5008A

描述 DO-35 4.3V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 4.3V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 20 mA -

稳压值 4.3 V 4.3 V 4.3 V

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率 400 mW - 500 mW

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

HTS代码 - - 85411000506