对比图
型号 1N4371E3 JAN1N4371D-1 JAN1N4371A-1
描述 DO-35 2.7V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 - 2
封装 DO-35 DO-35 DO-35
容差 - ±1 % ±5 %
正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW - 480 mW
测试电流 20 mA - 20 mA
稳压值 2.7 V 2.7 V 2.7 V
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
封装 DO-35 DO-35 DO-35
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - - Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 -