IRLZ44ZPBF和IRLZ44ZSPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ44ZPBF IRLZ44ZSPBF IRLZ44Z

描述 INFINEON  IRLZ44ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 51 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRLZ44ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 55V 51A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

额定功率 80 W 80 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0135 Ω 0.0135 Ω 11.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 80 W 80 W 80W (Tc)

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 51A 51A 51.0 A

上升时间 160 ns 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 1620pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds)

下降时间 42 ns 42 ns 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80W (Tc) 80W (Tc) 80W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 51.0 A

产品系列 - - IRLZ44Z

漏源击穿电压 - - 55.0V (min)

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 8.77 mm 4.83 mm -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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