JANTX1N5521C-1和JANTXV1N5521C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5521C-1 JANTXV1N5521C-1 1N5521C-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 4.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-204AH DO-204AH -

容差 ±2 % ±2 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

测试电流 20 mA - -

稳压值 4.3 V 4.3 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-204AH DO-204AH -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -

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