BLF647PSJ和BLF647PS,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF647PSJ BLF647PS,112

描述 RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT1121BRF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT1121B

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

引脚数 5 5

封装 SOT-1121 SOT-1121

频率 1.3 GHz 1.3 GHz

输出功率 200 W 200 W

增益 17.5 dB 17.5 dB

测试电流 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 78pF @32V(Vds) 78pF @32V(Vds)

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 32 V 32 V

封装 SOT-1121 SOT-1121

工作温度 - -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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