IXFT94N30P3和IXFT94N30T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT94N30P3 IXFT94N30T IXFH94N30P3

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-268AA N-CH 300V 94AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH94N30P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-268-2 TO-268-3 TO-247-3

通道数 1 - 1

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 1040W (Tc) 890W (Tc) 1.04 kW

阈值电压 3 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 94A 94A 94A

上升时间 19 ns 14 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 5510pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds) 5510pF @25V(Vds)

下降时间 11 ns 12 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 890W (Tc) 1040W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.036 Ω

漏源击穿电压 - - 300 V

额定功率(Max) - - 1040 W

长度 16.05 mm - 16.26 mm

宽度 14 mm - 5.3 mm

高度 5.1 mm - 21.46 mm

封装 TO-268-2 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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