REF5030IDGKR和REF5030IDGKT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 REF5030IDGKR REF5030IDGKT

描述 低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VSSOP-8 VSSOP-8

容差 ±0.05 % ±0.05 %

输出电压 3 V 3 V

输出电流 10 mA 10 mA

供电电流 1.2 mA 1.2 mA

通道数 1 1

静态电流 800 µA 800 µA

输入电压(Max) 18 V 18 V

输出电压(Max) 3 V 3 V

输出电压(Min) 3 V 3 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

精度 0.05 % 0.05 %

输入电压 3.2V ~ 18V 3.2V ~ 18V

封装 VSSOP-8 VSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台