IXTQ74N20P和IXTT74N20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTQ74N20P IXTT74N20P IXFV74N20PS

描述 TO-3P N-CH 200V 74ATrans MOSFET N-CH 200V 74A 3Pin(2+Tab) TO-268PLUS220 N-CH 200V 74A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-3-3 TO-268-3 PLUS-220-SMD-3

耗散功率 400 W 480 W 480 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 21 ns 21 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 3300pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns 21 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源极电阻 34 mΩ - 34 mΩ

极性 N-CH - N-CH

漏源击穿电压 200 V - 200 V

连续漏极电流(Ids) 74A - 74A

封装 TO-3-3 TO-268-3 PLUS-220-SMD-3

长度 15.8 mm - 11 mm

宽度 4.9 mm - 15 mm

高度 20.3 mm - 4.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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