CBR04C229B1GAC和ECD-G0E2R2B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CBR04C229B1GAC ECD-G0E2R2B 0402N2R2B101LT

描述 射频电容, C0G / NP0, 2.2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]CAP CER 2.2pF 25V NPO 0402Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 4.55% +Tol, 4.55% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000022uF, Surface Mount, 0402, CHIP, LEAD FREE

数据手册 ---

制造商 KEMET Corporation (基美) Panasonic (松下) Walsin Technology (台湾华科)

分类 陶瓷电容陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装(公制) 1005 1005 -

封装 0402 0402 -

引脚数 2 - -

额定电压(DC) - 25.0 V -

电容 2.2 pF 2.20 pF -

容差 ±0.1 pF ±0.1 pF -

额定电压 100 V 25 V -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 1.00 mm 1.00 mm -

宽度 0.5 mm 500 µm -

高度 0.5 mm 500 µm -

封装(公制) 1005 1005 -

封装 0402 0402 -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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