IRLL3303和IRLL3303PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLL3303 IRLL3303PBF IRLL3303TRPBF

描述 SOT-223 N-CH 30V 6.5AINFINEON  IRLL3303PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 VTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定功率 - 1 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 31.0 mΩ (max) 0.031 Ω 0.031 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1W (Ta) 2.1 W 2.1 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0V (min) 30 V -

连续漏极电流(Ids) 4.60 A 6.5A 4.60 A

上升时间 22.0 ns 22 ns 22.0 ns

输入电容(Ciss) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds)

下降时间 - 28 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 4.60 A - 4.60 A

产品系列 IRLL3303 - IRLL3303

额定功率(Max) - - 1 W

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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