BCV27,215和BAT721,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCV27,215 BAT721,215 BCV27

描述 NXP  BCV27,215  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 220 MHz, 250 mW, 500 mA, 4000 hFENXP  BAT721,215  小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °CFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCV27  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 220 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管肖特基二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

正向电压 - 550mV @200mA -

热阻 - 500℃/W (RθJA) -

正向电流 - 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 1 A -

正向电压(Max) - 550 mV -

正向电流(Max) - 0.2 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 - 125℃ (Max) -

极性 NPN - NPN

耗散功率 250 mW - 350 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.5A - -

最小电流放大倍数(hFE) 20000 @100mA, 5V - 20000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW - 350 mW

直流电流增益(hFE) 20000 - 20000

增益带宽 220 MHz - 220 MHz

耗散功率(Max) 250 mW - 350 mW

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 1.20 A

额定功率 - - 350 mW

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 1 mm 1 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.92 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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