对比图
型号 IS43LR32800F-6BLI-TR IS43LR32800G-6BLI-TR
描述 DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 256M-Bit 8M x 32 1.8V 90Pin TFBGA T/R动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 90 90
封装 BGA-90 TFBGA-90
位数 32 32
存取时间 - 5.5 ns
存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V
封装 BGA-90 TFBGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - EAR99