APT10M19BVR和IXTH75N10

对比图

型号 APT10M19BVR IXTH75N10 APT10M19BVRG

描述 TO-247 N-CH 100V 75AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTH75N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 75.0 A 75.0 A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.02 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 370 W 300 W 370 W

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 4.50 nF 6.12 nF

栅电荷 - 260 nC 300 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A 75.0 A

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 370000 mW 300W (Tc) 370000 mW

上升时间 40 ns - 40 ns

下降时间 20 ns - 20 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -