对比图
描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-18-3 TO-18
极性 - PNP
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 0.6A
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW
耗散功率 0.5 W -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V -
额定功率(Max) 500 mW -
针脚数 - -
直流电流增益(hFE) - -
封装 TO-18-3 TO-18
材质 Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 -
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 - -