BUK765R2-40B和BUK765R2-40B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK765R2-40B BUK765R2-40B,118

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETTrans MOSFET N-CH 40V 143A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3

耗散功率 - 203 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

上升时间 - 51 ns

输入电容(Ciss) - 3789pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 203 W

下降时间 - 56 ns

耗散功率(Max) - 203W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 143A -

封装 D2PAK TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台