对比图
型号 IRF2804PBF IRFB3004PBF STP100NF04
描述 INFINEON IRF2804PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB3004PBF. 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1.75 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 330 W 380 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0023 Ω 0.00175 Ω 0.0046 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 330 W 380 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 280A 340A 120 A
上升时间 120 ns 220 ns 220 ns
输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
下降时间 130 ns 130 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 380W (Tc) 300000 mW
输入电容 6450 pF - -
漏源击穿电压 40 V - 40 V
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 120 A
通道数 - - 1
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - - 300 W
长度 10.66 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
高度 9.02 mm 9.02 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99