对比图
型号 IXTA1N120P IXTP1N120P
描述 MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263N沟道,Vdss=1200V,Idss=1A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 3 -
通道数 1 1
漏源极电阻 20 Ω 20 Ω
极性 - N-CH
耗散功率 63 W 63 W
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V
漏源击穿电压 1200 V 1200 V
连续漏极电流(Ids) - 1A
上升时间 28 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)
下降时间 27 ns 27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc)
长度 9.9 mm 10.66 mm
宽度 9.2 mm 4.82 mm
高度 4.5 mm 9.15 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free