MRFE6VP5600HSR5和MRFE6VP5600HSR6

对比图

型号 MRFE6VP5600HSR5 MRFE6VP5600HSR6

描述 RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 600W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1829Trans RF MOSFET N-CH 130V 5Pin Case 375E-04 T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 -

封装 NI-1230-4S NI-1230S

频率 230 MHz 230 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

输出功率 600 W 600 W

增益 25 dB 25 dB

测试电流 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 342pF @50V(Vds) -

工作温度(Max) 225 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

额定电压 130 V 130 V

电源电压 50 V -

封装 NI-1230-4S NI-1230S

重量 8488.4 mg -

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -