IRFP250NPBF和MTW32N20E的区别_IRFP250NPBF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP250NPBF MTW32N20E

描述 INFINEON IRFP250NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 VTMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075Ω

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-247-3 -

额定功率 214 W -

通道数 1 -

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.075 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 214 W -

阈值电压 4 V -

输入电容 2159 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V -

漏源击穿电压 200 V -

连续漏极电流(Ids) 30A -

上升时间 43 ns -

热阻 0.7℃/W (RθJC) -

输入电容(Ciss) 2159pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 214 W -

下降时间 33 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 214W (Tc) -

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

栅源击穿电压 - -

长度 15.9 mm -

宽度 5.3 mm -

高度 20.3 mm -

封装 TO-247-3 -

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - -