对比图
描述 MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1NC 2569pF晶体管, MOSFET, P沟道, -7.7 A, -60 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.025 Ω
极性 P-CH P-CH
耗散功率 1W (Ta) 2.1 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 7.7A 7.7A
上升时间 7.1 ns 7.1 ns
输入电容(Ciss) 2569pF @30V(Vds) 2569pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 1 W
下降时间 62 ns 62 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2100 mW 2100 mW
长度 - 3.3 mm
宽度 - 3.3 mm
高度 - 0.80 mm
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99