对比图
型号 BSP372NH6327XTSA1 STN2NF10 BSP372L6327HTSA1
描述 INFINEON BSP372NH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.4 V 新STMICROELECTRONICS STN2NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VSOT-223 N-CH 100V 1.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-223-4 TO-261-4 SOT-223-4
引脚数 4 4 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 1.8 W 3.3 W 1.8W (Ta)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 1.8A 2.00 A 1.7A
输入电容(Ciss) 329pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 3.3W (Tc) 1.8W (Ta)
额定功率 1.8 W - -
通道数 1 1 -
针脚数 4 4 -
漏源极电阻 0.153 Ω 0.23 Ω -
阈值电压 1.4 V 4 V -
输入电容 247 pF - -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
上升时间 6.7 ns 10 ns -
额定功率(Max) 1.8 W 3.3 W -
下降时间 18 ns 3 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 2.00 A -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 SOT-223-4 TO-261-4 SOT-223-4
长度 6.5 mm 6.5 mm -
宽度 3.5 mm 3.5 mm -
高度 1.6 mm 1.8 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -