对比图
型号 CY62137FV30LL-55ZSXE IS62WV12816BLL-55TLI-TR IS62WV12816BLL-55TLI
描述 CY62137FV30 系列 2 Mb (128 K x 16) 2.2 - 3.6 V 55 ns 静态RAM - TSOP-442Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K X 16,55ns,2.5V 3.6V,44Pin TSOP II, LeadfreeRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)
位数 16 16 16
存取时间 55 ns 55 ns 55 ns
内存容量 - 2000000 B 250000 B
存取时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V
供电电流 25 mA - -
电源电压(Max) - 3.6 V -
电源电压(Min) - 2.5 V -
长度 18.415 mm - 18.52 mm
宽度 10.16 mm - 10.29 mm
高度 - - 1.05 mm
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 3A991.b.2.a EAR99 EAR99