DN3525N8和DN3525N8-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DN3525N8 DN3525N8-G

描述 0.36A, 250V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AAMICROCHIP  DN3525N8-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 250 V, 6 ohm, 0 V

数据手册 --

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

额定功率 - 1.6 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 6 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 1.6 W 1.6 W

漏源极电压(Vds) - 250 V

漏源击穿电压 - 250 V

上升时间 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.6 W

下降时间 25 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.6W (Ta)

长度 - 4.6 mm

宽度 - 2.6 mm

高度 - 1.6 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台