MUN5111DW1T1和MUN5111DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5111DW1T1 MUN5111DW1T1G MUN2237T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-88-6 SC-88-6 SOT-23-3

引脚数 - 6 3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V 50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA 100 mA

极性 PNP PNP, P-Channel NPN

耗散功率 250 mW 0.385 W 0.338 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 35 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

额定功率(Max) - 250 mW 338 mW

耗散功率(Max) - 385 mW 338 mW

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 SC-88-6 SC-88-6 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台