FQD5N50TF和FQD5N50TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD5N50TF FQD5N50TM FQD5N50

描述 N沟道 500V 3.5AN沟道 500V 3.5A500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 3.5A

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 3.50 A 3.50 A -

漏源极电阻 1.80 Ω 1.80 Ω -

耗散功率 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) -

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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