2N6764E3和JANTXV2N6764

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6764E3 JANTXV2N6764 IRF150

描述 N-CH 100V 38A每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 3

封装 - TO-3 TO-204

耗散功率 - 4 W 150000 mW

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 150000 mW

输入电容(Ciss) - - 3700pF @25V(Vds)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 38A - -

封装 - TO-3 TO-204

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

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