M25P128-VME6TGB TR和W25Q128FVEIG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M25P128-VME6TGB TR W25Q128FVEIG

描述 Ic Flash 128Mbit 54MHz 8vfdfpnNOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 7ns 8Pin WSON EP

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 VDFN-8 WDFN-8

引脚数 - 8

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - 20 mA

存取时间(Max) - 7 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 VDFN-8 WDFN-8

长度 - 8 mm

宽度 - 6 mm

高度 - 0.73 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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