P6SMBJ8.5A和SMBJ8.5A-E3/52

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P6SMBJ8.5A SMBJ8.5A-E3/52 SMBJ6.5

描述 Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodesTRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

数据手册 ---

制造商 Semikron (赛米控) Vishay Semiconductor (威世) Littelfuse (力特)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

封装 DO-214AA DO-214AA-2 DO-214AA

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 DO-214AA DO-214AA-2 DO-214AA

长度 - 4.57 mm 5.59 mm

宽度 - 3.94 mm 3.94 mm

高度 - 2.44 mm 2.44 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作电压 - 8.5 V -

电路数 - 1 1

耗散功率 - 1 W -

钳位电压 - 14.4 V 11.2 V

测试电流 - 1 mA 10 mA

最大反向击穿电压 - 10.4 V -

脉冲峰值功率 - 600 W 600 W

最小反向击穿电压 - 9.44 V 6.84 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) - - 6.50 V

额定功率 - - 600 W

击穿电压 - - 7.22 V

工作结温 - - -65℃ ~ 150℃

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台