对比图
型号 IRLL024N IRLL024NPBF AUIRLL024NTR
描述 SOT-223 N-CH 55V 4.4AN 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON AUIRLL024NTR 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 4
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4
额定功率 - 2.1 W -
针脚数 - 3 4
漏源极电阻 - 0.065 Ω 0.065 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.1 W 1 W
阈值电压 - 2 V 1 V
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 3.10 A 4.4A 4.4A
上升时间 21 ns 21 ns 21 ns
输入电容(Ciss) - 510pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns 25 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1W (Ta) 1W (Ta)
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 3.10 A - -
产品系列 IRLL024N - -
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.7 mm -
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17