对比图
描述 VISHAY IRFL210PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 960 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4
封装 SOT-223 SOT-223
针脚数 3 4
漏源极电阻 1.5 Ω 1.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.1 W
阈值电压 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 960 mA 960 mA
上升时间 17 ns 17 ns
输入电容(Ciss) - 140pF @25V(Vds)
下降时间 8.9 ns 8.9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.1 W
额定功率 3.1 W -
长度 - 6.7 mm
宽度 - 3.7 mm
高度 - 1.8 mm
封装 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
包装方式 Tube -