BSM25GD120DN2和BSM25GD120DN2E3224

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM25GD120DN2 BSM25GD120DN2E3224 MG25Q6ES50

描述 INFINEON  BSM25GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACKTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/RN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Screw -

引脚数 17 - -

封装 EconoPACK EconoPACK2-2 -

针脚数 17 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 200 W 200 W -

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 200 W - -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

长度 107.5 mm - -

宽度 45 mm 45 mm -

高度 17 mm - -

封装 EconoPACK EconoPACK2-2 -

产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Obsolete

包装方式 - Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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