对比图
型号 BSM25GD120DN2 BSM25GD120DN2E3224 MG25Q6ES50
描述 INFINEON BSM25GD120DN2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACKTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/RN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Screw -
引脚数 17 - -
封装 EconoPACK EconoPACK2-2 -
针脚数 17 - -
极性 N-Channel - -
耗散功率 200 W 200 W -
工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ -
耗散功率(Max) 200 W - -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
长度 107.5 mm - -
宽度 45 mm 45 mm -
高度 17 mm - -
封装 EconoPACK EconoPACK2-2 -
产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Obsolete
包装方式 - Box -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -