AVD150和MX0912B251Y

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AVD150 MX0912B251Y MRF1090MB

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPNNPN微波功率晶体管 NPN microwave power transistor微波功率晶体管NPN硅 MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON

数据手册 ---

制造商 Advanced Semiconductor NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Chassis

引脚数 - - 4

封装 - SOT439A 332A-03

耗散功率 - - 290 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 70 V

增益 - - 10.8 dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @2.5A, 5V

额定功率(Max) - - 90 W

封装 - SOT439A 332A-03

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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