对比图
型号 SKM200GB12T4 SKM200GB12V FF200R12KT4HOSA1
描述 SEMIKRON SKM200GB12T4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON SKM200GB12V 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, ModuleINFINEON FF200R12KT4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
数据手册 ---
制造商 Semikron (赛米控) Semikron (赛米控) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
引脚数 7 7 7
封装 Semitrans3 Module 62MM-1
安装方式 Screw - -
针脚数 7 7 7
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel NPN
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
热阻 0.038K/W (RθJC) - -
耗散功率 - - 1.1 kW
击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V
输入电容(Cies) - - 14nF @25V
额定功率(Max) - - 1100 W
耗散功率(Max) - - 1100000 mW
封装 Semitrans3 Module 62MM-1
长度 106.4 mm - 106.4 mm
宽度 - - 61.4 mm
高度 - - 30.9 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 150℃ (TJ)