IXTA48N20T和IXTQ48N20T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA48N20T IXTQ48N20T IXTH48N20

描述 TO-263AA N-CH 200V 48ATO-3P N-CH 200V 48ATrans MOSFET N-CH 200V 48A 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-247-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 250W (Tc) 250W (Tc) 275W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 48A 48A -

上升时间 26 ns - -

输入电容(Ciss) 3090pF @25V(Vds) 3090pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 250W (Tc) 250W (Tc) 275W (Tc)

额定功率(Max) - 250 W -

封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台