IS42S81600E-7TLI和IS42S81600F-7TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S81600E-7TLI IS42S81600F-7TLI

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 54Pin TSOP-II动态随机存取存储器 128M 16Mx8 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 130 mA 100 mA

位数 - 8

存取时间 6.5 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

封装 TSOP-54 TSOP-54

长度 22.22 mm -

宽度 10.16 mm -

高度 1 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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