BC860B和BC860B,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC860B BC860B,215 BC860C

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorsNXP  BC860B,215  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFETransistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

耗散功率 - 250 mW 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

直流电流增益(hFE) - 220 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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