PBSS5620PA和PBSS5630PA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5620PA PBSS5630PA

描述 NXP  PBSS5620PA  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFESmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 -

封装 SOT-1061 -

针脚数 3 -

极性 PNP -

耗散功率 2.1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 20 V -

集电极最大允许电流 6A -

直流电流增益(hFE) 345 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

封装 SOT-1061 -

产品生命周期 Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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