IDT71016S20Y和IDT71016S20Y8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71016S20Y IDT71016S20Y8 71016S20YG

描述 CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)IC SRAM 1Mbit 20NS 44SOJ静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 44

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

供电电流 - - 170 mA

存取时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

长度 - - 28.6 mm

宽度 - - 10.2 mm

高度 - - 2.9 mm

厚度 - - 2.90 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991 -

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