对比图
型号 IRF7842PBF IRF7842TRPBF IRF7469TRPBF
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF7842TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.25 VINFINEON IRF7469TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
输出电流 ≤2.50 A - -
通道数 1 - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.005 Ω 0.004 Ω 17 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2.25 V 2.25 V 3 V
输入电容 4500pF @20V 4500 pF 2000 pF
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40 V - 40 V
上升时间 12 ns 12 ns 2.2 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @20V(Vds) 4500pF @20V(Vds) 2000pF @20V(Vds)
下降时间 5 ns 5 ns 3.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 9.00 A
产品系列 - - IRF7469
连续漏极电流(Ids) - - 9.00 A
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
长度 5 mm 5 mm 4.9 mm
宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -