对比图
型号 FDU6692 ISL9N312AD3 FDU8882
描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251 TO-251 TO-251-3
漏源极电阻 12.0 mΩ 20.0 mΩ 11.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 57.0 W 75.0 W 55W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 54.0 A 50.0 A 55.0 A
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 55.0 A
输入电容 - - 1.26 nF
栅电荷 - - 22.0 nC
上升时间 - - 82.0 ns
输入电容(Ciss) - - 1260pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 55 W
耗散功率(Max) - - 55W (Tc)
封装 TO-251 TO-251 TO-251-3
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99