BC559B和PN5138

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC559B PN5138

描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -500 mA

极性 PNP, P-Channel -

耗散功率 500 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 50 @10mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 625 mW

增益频宽积 - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - -

最大电流放大倍数(hFE) - 800

封装 TO-226-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm

高度 - 5.33 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99

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