6MBI50VA-120-50和FS100R12KE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6MBI50VA-120-50 FS100R12KE3 FS75R12KE3G

描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 31PinIGBT 模块 1200V 100A 3-PHASEIGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 28 35 35

封装 - ECONO3-4 ECONO-3

额定功率 - 480 W 355 W

耗散功率 - 480 W 355 W

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 480000 mW 355 W

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -

输入电容(Cies) - 7.1nF @25V -

额定功率(Max) - 480 W -

极性 N-Channel - -

长度 - 122 mm 122 mm

宽度 - 62 mm 62 mm

高度 - 17 mm 17 mm

封装 - ECONO3-4 ECONO-3

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

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