对比图
型号 JANTX2N3019 JANTXV2N3019 JAN2N3019
描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-5-3 TO-5 TO-39
耗散功率 0.8 W 0.8 W 0.8 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
最大电流放大倍数(hFE) 300 @150mA, 10V - -
封装 TO-5-3 TO-5 TO-39
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 EAR99