IPP057N06N3G和IPP057N06N3GXKSA1

对比图

型号 IPP057N06N3G IPP057N06N3GXKSA1

描述 OptiMOSâ ?? ¢ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-TransistorN沟道 60V 80A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220-3

额定功率 - 115 W

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 115 W 115 W

漏源极电压(Vds) - 60 V

连续漏极电流(Ids) - 80A

上升时间 - 68 ns

输入电容(Ciss) - 6600pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W

下降时间 - 9 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc)

封装 TO-220 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC