对比图
型号 IRF7420 IRF7420TRPBF IRF7420PBF
描述 SOIC P-CH 20V 11.5AHEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.014 Ω 0.014 Ω
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 11.5A 11.5A 11.5A
上升时间 - 8.8 ns 8.8 ns
输入电容(Ciss) 3529pF @10V(Vds) 3529pF @10V(Vds) 3529pF @10V(Vds)
下降时间 - 225 ns 225 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率(Max) - 2.5 W -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17