对比图
型号 IRF7319 IRF7319TRPBF IRF7319PBF
描述 SOIC N+P 30V 6.5A/4.9AINFINEON IRF7319TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 VINFINEON IRF7319PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2 W 2 W
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.023 Ω 0.029 Ω
极性 N+P N+P N-Channel, P-Channel
耗散功率 - 2 W 2 W
阈值电压 - 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.5A/4.9A 6.5A/4.9A 6.5A/4.9A
输入电容(Ciss) - 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W 2 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W 2 W
通道数 - - 2
漏源击穿电压 - - 30 V
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99