IRF9610S和IRF9610SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9610S IRF9610SPBF IRF9610STRRPBF

描述 MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAKMOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAKPower Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

漏源极电阻 - 3 Ω -

耗散功率 3W (Ta), 20W (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

输入电容(Ciss) 170pF @25V(Vds) 170pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 3W (Ta), 20W (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

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