1N966B和JAN1N4990US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N966B JAN1N4990US 1N967B

描述 Zener Diode 16V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 CaseSMD 220V 5W冶金结合 METALLURGICALLY BONDED

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Semtech Corporation Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

封装 - SMT DO-204AA

引脚数 - - 2

容差 - ±5 % ±5 %

耗散功率 - 5 W -

稳压值 - 220 V 18 V

额定功率(Max) - 5 W 500 mW

正向电压 - - 1.1V @200mA

测试电流 - - 7 mA

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 - SMT DO-204AA

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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